[发明专利]单个单元可程序切换器有效
申请号: | 02122107.3 | 申请日: | 2002-05-30 |
公开(公告)号: | CN1389876A | 公开(公告)日: | 2003-01-08 |
发明(设计)人: | 孙骏恭;许志铭;罗英哲 | 申请(专利权)人: | 旺宏电子股份有限公司 |
主分类号: | G11C16/06 | 分类号: | G11C16/06;G11C11/40;H01L27/115;H03K19/177 |
代理公司: | 北京集佳专利商标事务所 | 代理人: | 王学强 |
地址: | 台湾省新竹*** | 国省代码: | 台湾;71 |
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摘要: | 单个单元可程序切换器,其可具有单向状态及双向状态。此可程序切换器应用于集成电路中,其包括分别与对应的电路器件耦接的第一及第二节点,以及一非挥发性可程序化晶体管,该晶体管的漏极耦接至第一及第二节点一源极耦接至另一者,栅极耦接至一供能导体,并具有一资料储存结构。用于此切换器中的非挥发性可程序化晶体管为一电荷程序化器件(如SONOS器件),其包含氧化层(或其他绝缘层)之间的氮化硅层或其它电荷捕捉层。此晶体管可储存4个状态,其一是存储单元中的信号向第一方向传送,其二是信号向相反的第二方向传送,其三是信号可双向传送,其四则无信号传送(即切换器开路)。 | ||
搜索关键词: | 单个 单元 程序 切换 | ||
【主权项】:
1、一种可程序切换器,用于一可设定的集成电路,其特征在于:该可程序切换器包括:一第一节点与一第二节点,与该集成电路中相对应的电路单元耦接;一非挥发性可程序化晶体管,其具有一漏极、一源极、一栅极与一资料储存结构,其中该漏极与该第一及第二节点耦接,该源极与该第一及第二节点的另一者耦接,该栅极与一供能导体耦接,且该资料储存结构至少可储存两种状态,而该非挥发性可程序化晶体管在一第一状态下容许信号由该第一节点至该第二节点作单向传送,且在一第二状态下阻断信号传送。
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