[发明专利]三轴移动传感器有效
| 申请号： | 02122165.0 | 申请日： | 2002-05-31 |
| 公开（公告）号： | CN1389704A | 公开（公告）日： | 2003-01-08 |
| 发明（设计）人： | P·G·哈特维尔;D·J·法森 | 申请（专利权）人： | 惠普公司 |
| 主分类号： | G01B7/004 | 分类号： | G01B7/004 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 王岳,王忠忠 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种用来检测半导体晶片结构的三维移动的微机电系统(MEMS)移动传感器(10)。MEMS器件(10)具有上(30)、中(40)、下(20)层,和一通过屈曲部分(56)附连在该中层(40)上的动子(50),屈曲部分允许该动子(50)相对于这些层(20,30,40)作三维移动。该动子(50)具有动子电极(70,72),这些动子电极与安置在邻近层(20,30)上的相反电极(80,82)一起产生一电容。当该动子(50)移动时该电容就发生变化。一电容检测器(90)接收来自该电极(70,72,80,82)的信号,并根据该电容的变化来检测该动子(50)的移动。该MEMS器件(10)处理该检测到的电容以便测定该动子(50)的移动特性。 | ||
| 搜索关键词： | 移动 传感器 | ||
【主权项】：
1.一种微机电系统(MEMS)器件(10)，包括：第一层(30)，它包括一相反电极(80，82)；第二层(40)，安置在该第一层(30)的邻近，该第二层(40)包括：中间晶片(40)，它与该第一层(30)相连接；动子(50)，它附连在该中间层(40)上，而且能够相对于该中间层(40)和第一层(30)进行三维移动，该动子(50)包括一动子电极(70，72)，动子电极安置邻近于该相反电极(80，82)，并能在该相反电极(80，82)和该动子电极(70，72)之间产生一电容，其中，动子(50)的移动引起该动子电极(70，72)相对于该相反电极(80，82)的移动，其中该电容依赖于该动子的位置而变化；电容检测器(90)，用来检测所述电容。
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