[发明专利]有机半导体器件及其制造工艺有效
申请号: | 02122216.9 | 申请日: | 2002-05-31 |
公开(公告)号: | CN1398007A | 公开(公告)日: | 2003-02-19 |
发明(设计)人: | 荒井康行;柴田典子 | 申请(专利权)人: | 株式会社半导体能源研究所 |
主分类号: | H01L51/20 | 分类号: | H01L51/20;H01L51/40 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人: | 吴立明,梁永 |
地址: | 日本神*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明在于提供一种复杂的有源矩阵型有机半导体器件。在绝缘表面上形成第一电极102。借助第一绝缘膜103在第一电极102上形成第二绝缘膜104。在第二绝缘膜104上形成的开口部分和第二绝缘膜104上形成有机半导体膜。通过抛光有机半导体膜直到暴露出第二绝缘膜104来获得有机半导体膜105。此外,通过在有机半导体膜105上形成第二电极106和第三电极107,可获得本发明的一种有机半导体器件。 | ||
搜索关键词: | 有机 半导体器件 及其 制造 工艺 | ||
【主权项】:
1.一种使用有机薄膜晶体管的有机半导体器件,包含:与绝缘表面接触形成的第一电极,与第一电极接触形成的第一绝缘膜,与第一绝缘膜接触形成的第二绝缘膜,在其叠加于第一电极上的位置处有一开口部分,在开口部分中形成的有机半导体膜,以及与有机半导体膜接触形成的第二电极和第三电极,其中有机半导体膜和第二绝缘膜形成同一表面。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于株式会社半导体能源研究所,未经株式会社半导体能源研究所许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/02122216.9/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择