[发明专利]有机半导体器件及其制造工艺有效

专利信息
申请号: 02122216.9 申请日: 2002-05-31
公开(公告)号: CN1398007A 公开(公告)日: 2003-02-19
发明(设计)人: 荒井康行;柴田典子 申请(专利权)人: 株式会社半导体能源研究所
主分类号: H01L51/20 分类号: H01L51/20;H01L51/40
代理公司: 中国专利代理(香港)有限公司 代理人: 吴立明,梁永
地址: 日本神*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 发明在于提供一种复杂的有源矩阵型有机半导体器件。在绝缘表面上形成第一电极102。借助第一绝缘膜103在第一电极102上形成第二绝缘膜104。在第二绝缘膜104上形成的开口部分和第二绝缘膜104上形成有机半导体膜。通过抛光有机半导体膜直到暴露出第二绝缘膜104来获得有机半导体膜105。此外,通过在有机半导体膜105上形成第二电极106和第三电极107,可获得本发明的一种有机半导体器件。
搜索关键词: 有机 半导体器件 及其 制造 工艺
【主权项】:
1.一种使用有机薄膜晶体管的有机半导体器件,包含:与绝缘表面接触形成的第一电极,与第一电极接触形成的第一绝缘膜,与第一绝缘膜接触形成的第二绝缘膜,在其叠加于第一电极上的位置处有一开口部分,在开口部分中形成的有机半导体膜,以及与有机半导体膜接触形成的第二电极和第三电极,其中有机半导体膜和第二绝缘膜形成同一表面。
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