[发明专利]超薄氮化硅/氧化硅栅极介电层的制造方法

摘要

一种超薄氮化硅/氧化硅栅极介电层的制造方法，是利用在一硅基材上，先氧化硅基材形成界面氧化层，再沉积氮化硅层在界面氧化层之上，再以等离子体氮化及等离子体氧化上述的氮化硅层。而热氧化硅基材是利用氧气或N2O氧化上述的硅基材，以形成氧化硅层或氮氧化硅层。沉积氮化硅层，则利用快速热化学气相沉积或远程等离子体增强化学气相沉积氮化硅层。等离子体氮化则是利用N2等离子体，等离子体氧化氧化则是利用氧等离子体或N2O等离子体再氧化氮化硅层。所以，本发明的制造方法，不仅降低热预算，提升元件性能，更有效降低介电层中的氢含量，提高了元件的可靠度。

主权项

1.一种超薄氮化硅/氧化硅栅极介电层的制造方法，至少包含：提供一基材；使用热氧化工艺处理该基材，在该基材上形成一界面氧化层；使用化学气相沉积工艺，形成一化学气相沉积氮化硅层在该界面氧化层之上；使用等离子体氮化工艺，增加该化学气相沉积氮化硅层的含氮量；及使用等离子体氧化工艺，再氧化该化学气相沉积氮化硅层。