[发明专利]具有颈状信道的场效晶体管及其制造方法有效
| 申请号： | 02122346.7 | 申请日： | 2002-06-14 |
| 公开（公告）号： | CN1466226A | 公开（公告）日： | 2004-01-07 |
| 发明（设计）人： | 陈豪育;陈方正;詹宜陵;杨国男;杨富量;胡正明 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/772 | 分类号： | H01L29/772;H01L21/335 |
| 代理公司： | 北京纪凯知识产权代理有限公司 | 代理人： | 赵蓉民;王刚 |
| 地址： | 中国*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 一种具有颈状信道的场效晶体管及其制造方法。本发明的具有颈状信道的场效晶体管是一双栅极金氧半场效晶体管，本发明的场效晶体管至少包括：源极和漏极间的信道，其中此信道为中间细两端宽的颈状结构，藉以避免发生短信道效应，且同时可减少串联信道电阻值；以及包裹间隙壁，其中包裹间隙壁覆盖住信道，和源极与漏极的主动区域，藉以避免这些区域被金属硅化。本发明的制造方法至少包括：在SOI基板或类似结构上，以OD掩膜进行光刻和蚀刻工艺来形成颈状信道、源极、漏极；以及于沉积栅极材料层之后，形成包裹间隙壁。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 信道 晶体管 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种具有颈状信道的场效晶体管，至少包括：一基板，其中该基板包括： 一基材； 一障碍氧化层形成于该基材上；以及 一硅材料层形成于该障碍氧化层上；一源极；一漏极；一颈状信道，其中该颈状信道连接于该源极和该漏极之间，且该源极、该漏极和该颈状信道是由该硅材料层所制成，而该颈状信道具有一第一宽度和小于该第一宽度的一第二宽度，该第一宽度约位于该颈状信道的一端和另一端，该第二宽度约位于该颈状信道的一中间位置，该颈状信道的形状为由该端逐渐缩小至该中间位置，再由该中间位置逐渐扩张至该另一端；以及一栅极层，其中该栅极层形成于该颈状信道的该中间位置，该栅极层至少包括： 一栅极氧化层形成于该颈状信道的该中间位置的周围侧面；以及 一栅极材料层沉积于该栅极氧化层上。
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