[发明专利]降低高功率晶体管导通电阻的方法

摘要

本发明提供一种降低高功率晶体管导通电阻的方法，特别指一种在晶圆制程中，在晶圆上生长一层垒晶层时，再生长一层再生垒晶层，该再生垒晶层的厚度约为5μm～10μm，而其浓度约为其上垒晶层的1.5倍～3倍，由于垒晶层经重掺杂使得期间的垒晶层电阻率大幅度降低，相对整体晶圆的总导通电阻显著降低，可提高导电性，同时串联电阻降低，可提高组件操作速度、降低电力损耗。本发明采用平面式制程，可改进沟渠式制程易发生短路或漏电流的缺点，减少功率消耗及增加产品合格率，可大大地提高装置的品质和可靠性。

主权项

1.一种降低高功率晶体管导通电阻的方法，包括如下步骤：a.在晶圆上的具有一高浓度掺杂的衬底上生长一垒晶层，在衬底及垒晶层间再生长一层再生垒晶层，该再生垒晶层具适当的浓度及掺杂度；b.在垒晶层上方沉积氧化层及阻绝层，确保隔离；c.以离子植入形成P-半导体区及N+半导体区；d.以光罩、微影去除光阻制成闸级氧化层及复晶硅层，再于其上沉积硼磷玻璃；e.刻蚀接触窗口以便金属化制程；f.进行金属化及电路与组件间的保护层制程。