[发明专利]真空隔绝室的进气结构无效
| 申请号： | 02122500.1 | 申请日： | 2002-06-04 |
| 公开（公告）号： | CN1464523A | 公开（公告）日： | 2003-12-31 |
| 发明（设计）人： | 施世濠;陈委辰;罗际诚;刘信成;林育安 | 申请（专利权）人： | 旺宏电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/00 | 分类号： | H01L21/00 |
| 代理公司： | 隆天国际知识产权代理有限公司 | 代理人： | 潘培坤;楼仙英 |
| 地址： | 暂无信息 | 国省代码： | 中国台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种半导体设备真空隔绝室(LoadLockChamber)进气结构，包含一安装于真空隔绝室顶端的过滤装置；一与氮气源连接的限压装置；以及一通过管路与限压装置及过滤装置连接的通气装置，其中该通气装置为一通气阀，可在真空隔绝室为真空状态时就控制通气阀，以最大通气量将气体源的气体导入真空隔绝室中，以缩短晶片承载室破真空的时间，增加机台的产量。 | ||
| 搜索关键词： | 真空 隔绝 结构 | ||
【主权项】：
1、一种进气结构，适用于将一气体源的气体导入半导体设备的真空隔绝室中，其特征在于包括：一过滤装置，安装于该真空隔绝室内部顶端；一限压装置，与该气体源连接，限制该气体源进入真空隔绝室的压力于一设定的压力；及一通气装置，具有一进气端及一出气端，该进气端通过管路与该限压装置连接，该出气端与该真空隔绝室顶端的该过滤装置连接，其中该通气装置可在该真空隔绝室为真空状态时就控制通气阀以最大通气量将该气体源的气体导入该真空隔绝室中。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
