[发明专利]单晶碳化硅薄膜的制造方法及制造设备无效
| 申请号： | 02122817.5 | 申请日： | 2002-06-06 |
| 公开（公告）号： | CN1393907A | 公开（公告）日： | 2003-01-29 |
| 发明（设计）人： | 泉胜俊;中尾基;大林义昭;峯啓治;条邉文彦 | 申请（专利权）人： | 大阪府;星电器制造株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/08 | 分类号： | H01L21/08;H01L21/283;H01L21/441;C30B29/36 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所 | 代理人： | 周承泽 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种制造单晶碳化硅薄膜的设备，包括适于接受成膜用的SOI基材100的成膜室200、向成膜室200提供制造单晶碳化硅薄膜所需的各种气体G1－G4的供气装置300、用于处理供给成膜室200的作为惰性气体G1的氩气、作为烃基气体G2的丙烷气体、作为载气G3的氢气和氧气G4的气体处理装置500和控制成膜室200温度的温控装置400。 | ||
| 搜索关键词： | 碳化硅 薄膜 制造 方法 设备 | ||
【主权项】：
1.一种制造单晶碳化硅薄膜的方法，所述方法通过化学反应将用于成膜的SOI基材表面上的硅层转变为单晶碳化硅薄膜来制造单晶碳化硅薄膜，所述的方法包括下列步骤：将所述用于形成薄膜的SOI基材固定在成膜室中，增加成膜室内部的室温至1200-1405℃，同时通入氢气和烃基气体，烃基气体与氢气的比例保持在1-5％体积。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
