[发明专利]暴露信号线以及在信号线与基片之间有间隙的半导体器件无效
| 申请号： | 02123002.1 | 申请日： | 2002-06-13 |
| 公开（公告）号： | CN1423326A | 公开（公告）日： | 2003-06-11 |
| 发明（设计）人： | 三原孝行;赤崎裕二 | 申请（专利权）人： | 富士通株式会社 |
| 主分类号： | H01L23/48 | 分类号： | H01L23/48;H01L23/28;H01L23/12 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 付建军 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种半导体器件,其中包括半导体芯片；连接到半导体芯片的信号电极的信号引线；与信号引线电连接的外部信号电极；沿着信号引线延伸的接地引线；以及密封半导体芯片、信号引线、外部信号电极和接地引线的密封树脂。该外部信号电极被形成为从密封树脂的下表面凸起的凸起电极,以及信号引线的一个表面暴露在密封树脂的下表面上。 | ||
| 搜索关键词： | 暴露 信号线 以及 之间 间隙 半导体器件 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件，其中包括：半导体芯片；连接到半导体芯片的信号电极的信号引线；与信号引线电连接的外部信号电极；沿着信号引线延伸的接地引线；以及密封半导体芯片、信号引线、外部信号电极和接地引线的密封树脂，其中，所述外部信号电极被形成为从密封树脂的下表面凸起的凸起电极，以及信号引线的一个表面暴露在密封树脂的下表面上。
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