[发明专利]控制接触窗微距的蚀刻方法无效
| 申请号： | 02123083.8 | 申请日： | 2002-06-13 |
| 公开（公告）号： | CN1464343A | 公开（公告）日： | 2003-12-31 |
| 发明（设计）人： | 朱倍宏 | 申请（专利权）人： | 旺宏电子股份有限公司 |
| 主分类号： | G03F7/26 | 分类号： | G03F7/26;H01L21/027 |
| 代理公司： | 隆天国际知识产权代理有限公司 | 代理人： | 潘培坤;陈红 |
| 地址： | 暂无信息 | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种控制接触窗微距的蚀刻方法。首先，在基底表面依序覆盖一介电层、一缓冲层及一光阻图案层，其中光阻图案层具有一第一开口而露出缓冲层表面。接着，对缓冲层表面实施一第一蚀刻，以在第一开口下方形成一第二开口并露出介电层表面，其中第二开口底部宽度小于顶部宽度且小于第一开口的宽度。最后，对介电层表面实施一第二蚀刻以形成一接触窗并露出基底表面，其中接触窗的宽度大体等于第一开口的宽度。上述第一蚀刻系使用氟碳气体、氧气的混合气体作为蚀刻气体，其中氟碳气体的流量在40－60sccm且氧气的流量在2－6sccm。 | ||
| 搜索关键词： | 控制 接触 窗微距 蚀刻 方法 | ||
【主权项】：
1.一种控制接触窗微距的蚀刻方法，其特征在于，包括下列步骤：提供一基底，该基底表面依序覆盖有一介电层、一缓冲层及一光阻图案层，该光阻图案层具有一第一开口而露出该抗反射层表面；对露出的该缓冲层表面实施一第一蚀刻以在该第一开口下方形成一第二开口并露出该介电层表面，该第二开口的底部宽度小于顶部宽度且小于该第一开口的宽度；以及对露出的该介电层表面实施一第二蚀刻以形成一接触窗并露出该基底表面，该接触窗的宽度大体等于该第一开口的宽度。
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