[发明专利]降低负载值的只读存储器有效
| 申请号： | 02123084.6 | 申请日： | 2002-06-13 |
| 公开（公告）号： | CN1464510A | 公开（公告）日： | 2003-12-31 |
| 发明（设计）人： | 陈世宪 | 申请（专利权）人： | 旺宏电子股份有限公司 |
| 主分类号： | G11C7/00 | 分类号： | G11C7/00 |
| 代理公司： | 隆天国际知识产权代理有限公司 | 代理人： | 潘培坤;陈红 |
| 地址： | 暂无信息 | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种只读存储器，借由增加多列辅助开关，使得当要读取一特定的存储单元时，可形成多个电流路径以降低负载值。如此，可使电流的大小加大，使得感测放大器产生误判的机率降低。 | ||
| 搜索关键词： | 降低 负载 只读存储器 | ||
【主权项】：
1.一种只读存储器，包括多个字元线(wordline)，这些字元线是相互平行，该只读存储器是包括K个存储区块，该K个存储区块的一为一第n个存储区块，其特征在于，该第n个存储区块包括：一第一主位元线BL(n)；多个第一选择开关及多个第二选择开关，是分别由一第一选择线及第二选择线所控制；一第一次位元线SB1(n)、第二次位元线SB2(n)、第三次位元线SB3(n)及第四次位元线SB4(n)，当这些第一选择开关导通(turnon)时，该第一主位元线BL(n)是电性连接至该第二次位元线SB2(n)与该第三次位元线SB3(n)，而当这些第二选择开关导通时，该第一主位元线BL(n)是电性连接至该第三次位元线SB3(n)与该第四次位元线SB4(n)；多个第一辅助开关与多个第二辅助开关，这些第一辅助开关是由一第一辅助线SL1所控制，而这些第二辅助开关是由一第二辅助线SL2所控制，至少部分的这些第一辅助开关与该第二辅助开关是具有低临界电压；以及多个存储单元(memorycell)，是由这些字元线所控制，每个存储单元是位于相邻的两个次位元线之间。
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