[发明专利]轻掺杂漏极结构的低温多晶硅薄膜晶体管及其制作方法有效
| 申请号： | 02123086.2 | 申请日： | 2002-06-13 |
| 公开（公告）号： | CN1388590A | 公开（公告）日： | 2003-01-01 |
| 发明（设计）人： | 石安 | 申请（专利权）人： | 统宝光电股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L21/336;G02F1/136 |
| 代理公司： | 隆天国际专利商标代理有限公司 | 代理人： | 高龙鑫,楼仙英 |
| 地址： | 台湾省*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种轻掺杂漏极(Lightlydopeddrain)结构的低温多晶硅薄膜晶体管及其制造方法。本发明以埋入式轻掺杂漏极结构的低温多晶硅薄膜晶体管来取代公知的表面式轻掺杂漏极结构的低温多晶硅薄膜晶体管。本发明在制作轻掺杂漏极的离子掺杂程序时,分别以一第一入射方向以及一第二入射方向来植入离子,进而完成埋入式轻掺杂漏极的制作。运用本发明,可有效地降低公知低温多晶硅薄膜晶体管的热电子效应,使得低温多晶硅薄膜晶体管在工作时的稳定性能够有明显的改善。 | ||
| 搜索关键词： | 掺杂 结构 低温 多晶 薄膜晶体管 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
1、一种应用于一液晶显示器的具埋入式轻掺杂漏极结构的薄膜晶体管结构，其特征在于，包括：一半导体层；一绝缘层，覆盖于该半导体层的一表面；一第一重掺杂区及一第二重掺杂区，位于该半导体层内的该表面上且相距一第一长度；一第一轻掺杂漏极区及一第二轻掺杂漏极区，位于该半导体层内部并与该表面间存在一间距，且该第一轻掺杂漏极与该第一重掺杂区相邻，该第二轻掺杂漏极与该第二重掺杂区相邻，而该第一轻掺杂漏极区及该第二轻掺杂漏极区之间形成一沟道，且该沟道具有一第二长度，其中该第一长度大于该第二长度；以及一栅极导体，位于该绝缘层上，且覆盖于该沟道所对应的区域。
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