[发明专利]光掩模的制造方法有效
申请号: | 02123090.0 | 申请日: | 2002-06-13 |
公开(公告)号: | CN1421741A | 公开(公告)日: | 2003-06-04 |
发明(设计)人: | 东文明 | 申请(专利权)人: | 保谷株式会社 |
主分类号: | G03F1/16 | 分类号: | G03F1/16;H01L21/027;G03F7/00 |
代理公司: | 北京三友知识产权代理有限公司 | 代理人: | 李辉 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 本发明提供一种光掩模制造方法。根据该方法,可获得重复图形区域中形状等均匀性高、斑纹少的灰调掩模。而且可减少描绘数据的容量。该方法包含用沿描绘装置的头的扫描方向(Y方向)的规定扫描单位和沿与扫描方向垂直的方向(X方向)的规定进给单位进行描绘的描绘工序,其特征在于,所述光掩模的图形包含重复图形,所述描绘工序包含下述工序对包含相同重复图形的图形单位(例如像素单位20),用分别相同的进给条件描绘各图形单位(例如把格栅的头17a与各描绘单位20的左端对齐以便总是从各描绘单位20的左端开始描绘)。 | ||
搜索关键词: | 光掩模 制造 方法 | ||
【主权项】:
1.一种光掩模制造方法,包含用沿描绘装置头的扫描方向Y方向的规定扫描单位、和沿与扫描方向垂直的方向X方向的规定进给单位进行描绘的描绘工序,其特征在于,所述光掩模的图形包含重复图形,所述描绘工序包含下述工序:对包含相同重复图形的图形单位,用分别相同的进给条件描绘各图形单位。
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G03 摄影术;电影术;利用了光波以外其他波的类似技术;电记录术;全息摄影术
G03F 图纹面的照相制版工艺,例如,印刷工艺、半导体器件的加工工艺;其所用材料;其所用原版;其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其专门适用于此的容器;其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如通过电子束;其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM];PSM空白;其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜;其制备,例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜,例如用于校准或测试的特殊涂层或标记;其制备
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