[发明专利]在半导体装置中形成无边界接触窗的方法

摘要

本发明涉及一种在半导体装置中形成无边界接触窗的方法。首先，在具有栅极结构及扩散区的基底上顺应基底外型形成蚀刻终止层及介电层。其中，栅极结构上形成有一遮蔽层。接着，在栅极结构及部分的扩散区的上方分别形成露出蚀刻终止层的第一开口及未露出蚀刻终止层的第二开口。然后，蚀刻第一开口下方的蚀刻终止层及第二开口下方部分的介电层，其中蚀刻终止层的蚀刻率高于介电层。接着，蚀刻第一开口下方的遮蔽层而形成第一接触窗，并蚀刻第二开口下方的介电层而露出蚀刻终止层，其中蚀刻终止层的蚀刻率低于遮蔽层及介电层。最后，蚀刻第二开口下方的蚀刻终止层而形成第二接触窗。

主权项

1.在半导体装置中形成无边界接触窗的方法，其特征在于，包括下列步骤：提供一半导体基底，该基底上具有一栅极结构、一扩散区及一隔离区且该栅极结构上形成有一遮蔽层；在该基底上依序形成一顺应该基底外型的蚀刻终止层及一介电层；定义该介电层，以在该栅极结构上方形成一第一开口而露出该蚀刻终止层，且在至少部分的该扩散区上方形成一第二开口；实施第一蚀刻以去除该第一开口下方的该蚀刻终止层及该第二开口下方部分的该介电层，其中利用第一蚀刻气体使该蚀刻终止层的蚀刻率高于该介电层；实施第二蚀刻以去除该第一开口下方的该遮蔽层而形成第一接触窗及去除该第二开口下方的该介电层而露出该蚀刻终止层，其中利用第二蚀刻气体使该蚀刻终止层的蚀刻率低于该遮蔽层及该介电层；以及实施第三蚀刻以去除该第二开口下方的该蚀刻终止层而形成一第二接触窗。