[发明专利]电路装置的制造方法无效
申请号: | 02123152.4 | 申请日: | 2002-06-19 |
公开(公告)号: | CN1392599A | 公开(公告)日: | 2003-01-22 |
发明(设计)人: | 五十岚优助;坂本则明;小林义幸;中村岳史 | 申请(专利权)人: | 三洋电机株式会社 |
主分类号: | H01L21/60 | 分类号: | H01L21/60;H01L21/48;H05K3/00 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人: | 杨梧,马高平 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 以往,将具有导电图案的挠性板作为支承衬底采用,将半导体元件安装于其上,开发整体模装的半导体装置。存在不能形成多层配线结构及制造工序中绝缘树脂板的弯曲明显的问题。本发明提供一种电路装置的制造方法,使用由绝缘树脂被覆导电膜的单面的绝缘树脂板,在绝缘树脂上形成通孔,然后形成导电镀膜,故由蚀刻导电镀膜形成的第一导电配线层和多层连接的第二导电配线层实现多层配线结构。半导体元件固定安装在覆盖第一导电配线层的外敷层树脂上,从而,第一导电配线层形成精致的图案,且自由回旋。形成得较厚的第二导电膜在进行封装后蚀刻变薄,故第二导电配线层也可形成精致图案。 | ||
搜索关键词: | 电路 装置 制造 方法 | ||
【主权项】:
1、一种电路装置的制造方法,其特征在于,包括下述工序:准备用绝缘树脂被覆了导电膜表面的绝缘树脂板;在所述绝缘树脂板的所需部位的所述绝缘树脂上形成通孔,选择性露出所述导电膜的背面;在所述通孔和所述绝缘树脂表面形成导电镀膜;将所述导电镀膜蚀刻为所需图案,形成第一导电配线层;在所述第一导电配线层上电绝缘地固定安装半导体元件;用封装树脂层被覆所述第一导电配线层及所述半导体元件;蚀刻所述导电膜整个面使其减薄,然后,蚀刻成所需图案,形成第二导电配线层;在所述第二导电配线层的所需部位形成外部电极。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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