[发明专利]氮化物半导体器件及其制造方法无效
| 申请号： | 02123204.0 | 申请日： | 2002-06-12 |
| 公开（公告）号： | CN1391293A | 公开（公告）日： | 2003-01-15 |
| 发明（设计）人： | 太田启之;园部雅之;伊藤范和;藤井哲雄 | 申请（专利权）人： | 先锋株式会社;ROHM株式会社 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01S5/00 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 | 代理人： | 李辉 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种包括III族氮化物半导体的氮化物半导体器件。该器件包括有源层和由预定材料制成的并与有源层相邻设置的势垒层。势垒层具有比有源层大的带隙。该器件还包括由预定材料形成的势垒部分，用于在有源层中围绕穿通位错。势垒部分具有顶点。该器件还包括具有1E16/cc到1E17/cc的杂质浓度的半导体层，其中设置有该顶点。 | ||
| 搜索关键词： | 氮化物 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种包括III族氮化物半导体的氮化物半导体器件，包括：有源层；势垒层，由预定的材料制成，与所述有源层相邻设置，所述势垒层具有比所述有源层大的带隙；由所述预定材料形成的势垒部分，用于围绕所述有源层中的一个穿通位错，所述势垒部分具有一顶点；以及半导体层，具有1E16/cc到1E17/cc的杂质浓度，其中设置有所述顶点。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于先锋株式会社;ROHM株式会社，未经先锋株式会社;ROHM株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/02123204.0/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：解毒增免浸洗剂
- 下一篇：带有无螺纹铰接装置的眼镜
