[发明专利]掩膜式只读存储器的制造方法有效
| 申请号： | 02123233.4 | 申请日： | 2002-06-13 |
| 公开（公告）号： | CN1464548A | 公开（公告）日： | 2003-12-31 |
| 发明（设计）人： | 范左鸿;叶彦宏;詹光阳;刘慕义 | 申请（专利权）人： | 旺宏电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/8246 | 分类号： | H01L21/8246 |
| 代理公司： | 北京纪凯知识产权代理有限公司 | 代理人： | 沙捷;王刚 |
| 地址： | 暂无信息 | 国省代码： | 中国台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种掩膜式只读存储器的制造方法，此方法提供一基底，再于基底上形成掺杂导体层。接着，图案化此掺杂导体层以形成多个条状掺杂导体层，再以热氧化法于基底与条状掺杂导体层上形成介电层，并同时于条状掺杂导体层下方的基底中形成多个扩散区。然后，于介电层上形成图案化的导体层。 | ||
| 搜索关键词： | 掩膜式 只读存储器 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种掩膜式只读存储器的制造方法，该方法包括：提供一基底；于该基底上形成一掺杂导体层；图案化该掺杂导体层，以形成多个条状掺杂导体层；以热氧化法于该基底与该些条状掺杂导体层上形成一介电层，并同时于该些条状掺杂导体层下方的该基底中形成多个扩散区；以及于该介电层上形成一图案化导体层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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