[发明专利]半导体器件的制造方法无效
申请号: | 02123244.X | 申请日: | 1996-05-14 |
公开(公告)号: | CN1514479A | 公开(公告)日: | 2004-07-21 |
发明(设计)人: | 宇佐美光雄;坪崎邦宏;西邦彦 | 申请(专利权)人: | 株式会社日立制作所 |
主分类号: | H01L21/78 | 分类号: | H01L21/78 |
代理公司: | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人: | 王永刚 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 用包含导电颗粒的有机粘接剂层把半导体芯片和基片粘结在一起,通过导电颗粒将压焊块和电极相互电连接在一起。通过使附着在带上的半导体晶片与刻蚀剂相接触形成该半导体芯片,与刻蚀剂相接触的同时在半导体晶片的面内方向高速旋转该半导体晶片或使该半导体晶片作横向往复运动,均匀刻蚀该半导体晶片,从而减薄其厚度并把减薄后的晶片切割开。用加热头热压分割开的薄芯片,使其粘结到基片。用这种方法可以低成本稳定制造薄半导体芯片,并把它粘结到基片上,不使其破碎,这样得到的半导体器件不大会由于来自外界的挠曲应力而破损。 | ||
搜索关键词: | 半导体器件 制造 方法 | ||
【主权项】:
1.半导体器件的制造方法,包括以下步骤:制备完全分离的多个IC芯片的工序,所述多个IC芯片在保持为晶片的状态下粘结于带上且厚度为0.1微米~110微米;制备形成有布线的基片的工序;使所述多个IC芯片中的一个IC芯片在保持粘结于所述带的状态下面对所述基片的工序;用具有平坦头表面的加热头通过所述带把与所述基片面对的所述IC芯片压接到所述基片上,所述头表面的面积与面对所述基片的所述IC芯片的表面面积大致相同;通过在所述IC芯片与所述基片面对的表面上方设置的粘结剂层将所述IC芯片固定于所述基片上的工序;将所述带从固定于所述基片上的所述IC芯片剥离的工序。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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