[发明专利]浅沟隔离制程的含有氮元素的氧化硅衬层的制造方法无效
| 申请号： | 02123329.2 | 申请日： | 2002-06-18 |
| 公开（公告）号： | CN1430259A | 公开（公告）日： | 2003-07-16 |
| 发明（设计）人： | 李世达;郑丰绪 | 申请（专利权）人： | 矽统科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/76 | 分类号： | H01L21/76 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 | 代理人： | 刘朝华 |
| 地址： | 台湾省新竹*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种浅沟隔离制程的含有氮元素的氧化硅衬层的制造方法，通过先于硅基底上形成多数个渠沟，再于渠沟的侧壁与底部上形成氧化硅衬层，然后，于含氮气氛中进行热退火处理，于氯化硅衬层内掺杂氮元素，并于氧化硅衬层与硅基底的接口处形成富含氮层，具有提供Si－N悬空键来释放掉渠沟侧壁处的残留应力，制程的成本低廉且制程简易，有效解决电流漏电的问题。 | ||
| 搜索关键词： | 隔离 含有 元素 氧化 硅衬层 制造 方法 | ||
【主权项】：
1、一种浅沟隔离制程的含有氮元素的氧化硅衬层的制造方法，其特征是：它包括下列步骤：(1)于硅基底上形成多数个渠沟；(2)于该渠沟的侧壁与底部上形成氧化硅衬层；(1)于含氮气氛中进行热退火处理，于该氧化硅衬层内掺杂氮元素，并于该氧化硅衬层与该硅基底的接口处形成富含氮层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
