[发明专利]变增益的单端到差分的射频低噪声放大器

摘要

本发明属于无线通信接收机系统技术领域，涉及变增益的单端到差分的射频低噪声放大器，包括单端输入的主放大器电路，分别与该主放大器电路的输出、输入端相连的单端到差分的输出缓冲器和可变增益单元；所说的主放大器电路主要由两个MOS管，三个电感组成；所说的单端到差分的输出缓冲器主要由三个MOS管，两个电感以及一个电容组成；所说的可变增益单元主要由两个MOS管，两个电阻，电容和二极管组成；本发明具有可降低射频低噪声放大器的功耗；改善射频低噪声放大器的噪声；消除平衡转换器B1引入的系统噪声，改善系统噪声性能；在不影响电路噪声性能的前提下，可控制射频放大器的增益大小，降低了系统对后级电路的动态范围的要求等诸多优点。

主权项

1、一种变增益的单端到差分的射频低噪声放大器，包括单端输入的主放大器电路，其特征在于，还包括分别与该主放大器电路的输出、输入端相连的单端到差分的输出缓冲器和可变增益单元；所说的主放大器电路主要由MOS管(M1)和(M2)，电感(L1)、(L2)和(L3)组成；所说的单端到差分的输出缓冲器主要由MOS管(M3)、(M4)和(M5)，电感(L4)和(L5)，以及电容(C1)组成；所说的可变增益单元主要由MOS管(M6)和(M7)，电阻(R3)和(R4)，电容(C2)以及二极管(D1)组成；其连接关系为：射频信号RF-IN通过电感(L2)输入到MOS管(M1)的栅极，MOS管(M1)的源极通过电感(L1)接地，MOS管(M1)的漏极接到MOS管(M2)的源极，MOS管(M2)的栅极接到电源VDD1上，而它的漏极通过电感(L3)也接到电源VDD1上；经主放大器电路放大后的信号从MOS管(M2)的漏极输出到MOS管(M3)的栅极；MOS管(M3)的源极一方面通过电容(C1)接地，同时又通过电感(L5)接到MOS管(M5)的漏极上，MOS管(M3)的漏极则直接接到MOS管(M5)的栅极和MOS管(M4)的源极，MOS管(M4)的漏极通过电感(L4)接到电源VDD2上，而MOS管(M4)的栅极则直接接到电源VDD2上，MOS管(M5)的源极直接接地，漏极则通过电感(L5)接到MOS管(M3)的源极上；射频信号通过电容(C2)接到MOS管(M7)的源极和二极管(D1)的正极，二极管(D1)的负极接地，MOS管(M7)的漏极接电源VDD3，栅极接到MOS管(M6)的漏极，MOS管(M6)的漏极通过电阻(R3)接到电源VDD3上，而它的源极则通过电阻(R4)接地，MOS管(M6)的栅极接到控制电压Vc上。