[发明专利]发光二极管外延片电致发光无损检测方法无效
| 申请号： | 02123646.1 | 申请日： | 2002-07-05 |
| 公开（公告）号： | CN1395305A | 公开（公告）日： | 2003-02-05 |
| 发明（设计）人： | 韩立;董占民;苏哲;陈皓明 | 申请（专利权）人： | 清华大学 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66;G01R31/26 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 100084 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 一种发光二极管外延片的检测方法，属检测仪器领域。本发明是在发光二极管外延片的表面安置正负两个电极，将一个高压恒流源接在正负两极，使发光二极管外延片中的p型层、n型层组成的反向二极管被击穿。使整个电路导通，引发发光二极管外延片的发光层发光，从而达到检测的目的。这种测量方法直接、无损、便捷，相对于光致荧光而言还可以得到正向导通电压、反向漏电流等对于LED外延片而言非常重要的电学参数。 | ||
| 搜索关键词： | 发光二极管 外延 电致发光 无损 检测 方法 | ||
【主权项】：
1.一种发光二极管外延片的检测方法，其特征是在发光二极管外延片的表面安置正负两个电极，将一个高压恒流源接在正负两极，使发光二极管外延片中的p型层、n型层组成的二极管被击穿导通，使整个电路导通，引发发光二极管外延片的发光层发光，从而达到检测的目的。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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