[发明专利]含有无序纳米复合薄膜的光存储介质及其应用无效

专利信息
申请号: 02123649.6 申请日: 2002-07-05
公开(公告)号: CN1157722C 公开(公告)日: 2004-07-14
发明(设计)人: 区定容;朱静;王佳;朱若剑;赵嘉昊;周惠华 申请(专利权)人: 清华大学
主分类号: G11B7/24 分类号: G11B7/24;G11B11/24
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 100084北*** 国省代码: 北京;11
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摘要: 含有无序纳米复合薄膜的光存储介质及其应用,属于光存储器技术领域,其特征在于它含有:第一间隔层;第二间隔层;夹于第一间隔层和第二间隔层之间的无序纳米复合薄膜结构层,它含有以下组分:透光能力较好的绝缘体或宽能隙半导体;金属、半金属或半导体的任何一种或多种,它的体积分数为0.3~0.7;上述两种组分的分散方式是随机无序分布的颗粒或分形结构,它们的单元直径在0.5~50nm之间。相应地,提出了用上述光存储介质制造的可擦写光盘和只读光盘的结构。这种光存储介质具有光学近场范围内的局域表面等离子体光增强以及超衍射分辨的作用,可以实现超高密度光存储,同时这种光存储介质还具有热稳定性高,透光性好,光能利用率高等优点。
搜索关键词: 含有 无序 纳米 复合 薄膜 存储 介质 及其 应用
【主权项】:
1.含有无序纳米复合薄膜的光存储介质,含有用以实现近场超高密度光存储用的超衍射分辨膜层结构,其特征在于它含有:第一间隔层;第二间隔层;夹于第一间隔层和第二间隔层之间用以增强局域光强用的无序纳米复合薄膜结构层,它含有以下组分:绝缘体和宽能隙半导体中的任何一种;金属、半金属或窄能隙半导体中的任何一种或多种,它在薄膜中的体积/薄膜中它和绝缘体或宽能隙半导体的总体积,即体积分数为0.3~0.7;上述两种组分的分散方式是随机无序分布的颗粒和分形结构中的任何一种,颗粒或分形的结构单元的直径在0.5nm~50nm之间。
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