[发明专利]碳纳米管式集成场效应管及其制备工艺无效
申请号: | 02123860.X | 申请日: | 2002-07-05 |
公开(公告)号: | CN1466214A | 公开(公告)日: | 2004-01-07 |
发明(设计)人: | 赵继刚;王太宏 | 申请(专利权)人: | 中国科学院物理研究所 |
主分类号: | H01L27/00 | 分类号: | H01L27/00;H01L29/772;H01L21/70 |
代理公司: | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 | 代理人: | 王凤华 |
地址: | 100080北*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本发明涉及一种使用碳纳米管能够实现场效应管的集成及其制备工艺;该集成场效应管是在绝缘层上制作相间的栅极和电极,将一根超长碳纳米管放置于其上;在一些栅极上通一定值恒压,使超长碳纳米管部分截止;其效果等效为若干个碳纳米管场效应管,实现了碳纳米管场效应管集成;其制备工艺是将碳纳米管放置在绝缘层的栅极和电极上,制成集成场效应管;本发明的结构简单、易于制作和集成。 | ||
搜索关键词: | 纳米 集成 场效应 及其 制备 工艺 | ||
【主权项】:
1、一种碳纳米管式集成场效应管,包括衬底(5)和绝缘层(4),在衬底(5)上设绝缘层(4);其特征在于在绝缘层(4)上相间排列栅极(2)和电极(3),一超长碳纳米管(1)与栅极(2)和电极(3)接触,在一栅极(2)的邻近两侧栅极(2)上与一恒压相连,使该通恒压的栅极(2)控制的碳纳米管截止,位于两个截止栅极之间的一个栅极(2)和两个电极(3)及碳纳米管(1)形成集成的独立场效应管。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
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