[发明专利]碳纳米管“或否”逻辑器件

摘要

本发明涉及一种碳纳米管“或否”逻辑器件，它包括以Si作为衬底，该衬底上设有SiO₂氧化层，在Si衬底的SiO₂绝缘层上设置碳纳米管、栅极和电极；所述的栅极包括两个独立的栅极，在位于Si衬底上SiO₂绝缘层中彼此相邻的两条沟槽之中沉积的Al，并经表面氧化形成的Al₂O₃绝缘层构成，栅极的绝缘层厚度小于3纳米；所述的电极包括两个独立的电极，位于Si衬底上SiO₂绝缘层和碳纳米管之上，或碳纳米管之下；一根碳纳米管平直放置在SiO₂绝缘层的表面上，与栅极的Al₂O₃绝缘层表面以及电极的贵金属层表面相接触。一个电极加恒定偏压，另一电极为输出端，利用两个栅极控制碳纳米管截止或导通，从而实现了逻辑“或否”功能。与其它碳纳米管“或否”逻辑器件相比，本发明结构简单，且易于制作。

主权项

1.一种碳纳米管结构的“或否”逻辑器件，包括以Si作为衬底，该衬底上设有SiO2氧化层，在Si衬底的SiO2绝缘层上设置碳纳米管、栅极和电极；其特征在于：所述的栅极包括两个独立的栅极，在位于Si衬底上SiO2绝缘层中彼此相邻的两条沟槽之中沉积的Al，并经表面氧化形成的Al2O3绝缘层构成，栅极的绝缘层厚度小于3纳米；所述的电极包括两个独立的电极，位于Si衬底上SiO2绝缘层和碳纳米管之上，或碳纳米管之下；一根碳纳米管平直放置在SiO2绝缘层的表面上，与栅极的Al2O3绝缘层表面以及电极的贵金属层表面相接触，一个电极与恒定源连接，另一电极为输出端；栅极作为输入端。