[发明专利]碳纳米管逻辑“或”门器件及其制备方法无效
申请号: | 02123862.6 | 申请日: | 2002-07-05 |
公开(公告)号: | CN1466216A | 公开(公告)日: | 2004-01-07 |
发明(设计)人: | 赵继刚;王太宏 | 申请(专利权)人: | 中国科学院物理研究所 |
主分类号: | H01L27/04 | 分类号: | H01L27/04;H03K19/20;H03K19/02;H01L21/822 |
代理公司: | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 | 代理人: | 王凤华 |
地址: | 100080北*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本发明涉及一种碳纳米管逻辑“或”门器件及其制备工艺;该器件包括衬底,在衬底上设绝缘层、碳纳米管、栅极、电极及电阻;在绝缘层上的沟槽内设两栅极,在两栅极两侧的绝缘层上的沟槽内设两电极;一碳纳米管与栅极和电极接触;两电极中的一电极接地,另一电极通过电阻与一恒压相连。利用两个栅极控制碳纳米管截止或导通,从而实现逻辑“或”功能;与其他碳纳米管逻辑电路相比,本发明逻辑“或”门电路结构简单,且易于制作和集成。 | ||
搜索关键词: | 纳米 逻辑 器件 及其 制备 方法 | ||
【主权项】:
1、一种碳纳米管逻辑“或”门器件,包括衬底(11)、绝缘层(10)、碳纳米管(1)、栅极(4)、(5)、电极(2)、(3)及电阻(6),在衬底(11)上设绝缘层(10);其特征在于在绝缘层(10)上设栅极(4)、(5),在两栅极(4)、(5)两侧的绝缘层(10)上设两电极(2)、(3);一碳纳米管(1)垂直于栅极(4)、(5)和电极(2)、(3)放置在绝缘层(10)上,并与栅极(4)、(5)和电极(2)、(3)相接触;两电极(2)、(3)中的一电极(2)接地,另一电极(3)通过电阻(6)与一恒压(9)相连。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
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