[发明专利]利用碳纳米管制作的逻辑“非”门器件

摘要

本发明涉及一种利用碳纳米管制作的“非”门逻辑器件，该逻辑器件包括一Si衬底，该衬底上有一SiO₂绝缘层，在Si衬底上设置单壁碳纳米管、一个栅极和电极；其特征在于：所述的栅极位于Si衬底上SiO₂绝缘层中的一条沟槽之中沉积的Al，并经表面氧化形成的Al₂O₃绝缘层组成；所述的电极包括两个平行于栅极设置在栅极两侧，该电极设置在单壁碳纳米管之下或位于单壁碳纳米管之上；一根单壁碳纳米管放置在SiO₂绝缘层的表面上，与栅极的Al₂O₃绝缘层表面和电极的贵金属层表面相接触，第一电极联接恒压源，栅极为输入端。利用栅极控制碳纳米管截止或导通，从而实现了逻辑“非”功能。与其它碳纳米管逻辑器件相比，本发明逻辑“非”门器件结构简单，且易于制作和集成。

主权项

1.一种利用碳纳米管制作的“非”门逻辑器件，包括一Si衬底，该衬底上有一SiO2绝缘层，在Si衬底上设置单壁碳纳米管、一个栅极和电极；其特征在于：所述的栅极位于Si衬底上SiO2绝缘层中的一条沟槽之中沉积的Al，并经表面氧化形成的Al2O3绝缘层组成；所述的电极包括两个平行于栅极设置在栅极两侧，该电极设置在单壁碳纳米管之下或位于单壁碳纳米管之上；一根单壁碳纳米管放置在SiO2绝缘层的表面上，与栅极的Al2O3绝缘层表面和电极的贵金属层表面相接触，第一电极联接恒压源，栅极为输入端。