[发明专利]嵌入式电力可编程只读存储器无效
| 申请号： | 02124175.9 | 申请日： | 2002-07-15 |
| 公开（公告）号： | CN1469484A | 公开（公告）日： | 2004-01-21 |
| 发明（设计）人： | 萧正杰 | 申请（专利权）人： | 萧正杰 |
| 主分类号： | H01L27/115 | 分类号： | H01L27/115;H01L21/8247 |
| 代理公司： | 北京维澳专利代理有限公司 | 代理人： | 张应 |
| 地址： | 台湾省台北市*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明是一种新颖的EPROM装置是用在插入式应用中。本发明的EPROM装置是利用现有的电路元件不需复杂的现有的制造技术。它们能够通过DRAM、标准推理技术、或者任何一种IC制造技术制造生产。和传统的EPROM装置不同，这些新颖的装置不要求高压电路去支持它们的程序性操作。本发明的EPROM装置对插入式应用程序是非常理想的。典型的应用包括DRAM的冗余环路、逻辑产品的可编程固件和IC产品的安全识别电路。 | ||
| 搜索关键词： | 嵌入式 电力 可编程 只读存储器 | ||
【主权项】：
1.在单晶片上生产多数电力可编程只读存储器(EPROM)和多数动力随机读取存储器(DRAM)的方法包含：在提到的单晶片的外表面上组建一些半导体晶体管；同时为每个前面提到的EPROMEPROM组建一个匹配电容器；为每个DRAMEPROM组建一个储存电容器。匹配电容器和储存电容器拥有实质一样的外型和位于上述的半导体晶体管之上的快速处理结构。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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