[发明专利]形成低介电常数材料的方法及产品有效
| 申请号： | 02124343.3 | 申请日： | 2002-06-19 |
| 公开（公告）号： | CN1464536A | 公开（公告）日： | 2003-12-31 |
| 发明（设计）人： | 包天一;柯忠祁;黎丽萍;章勋明 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/31 | 分类号： | H01L21/31;H01L21/3105;H01L21/285 |
| 代理公司： | 隆天国际知识产权代理有限公司 | 代理人： | 潘培坤;陈红 |
| 地址： | 暂无信息 | 国省代码： | 中国台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及一种形成低介电常数材料的方法，首先，提供一半导体基底，半导体基底形成有若干半导体元件，并将半导基底置于一反应室；接着，提供一硅氧气体、碳氢气体及含氧气体的混合气体于反应室中以形成一低介电常数材料层，然后，对低介电常数材料层进行电浆硬化处理。本发明能够降低金属内连线的寄生电容及改善RC延迟现象，有效提升元件的传输速率，并降低应力(stress)与耐冲击特性，进而防止多层介电材料堆叠产生的龟裂。 | ||
| 搜索关键词： | 形成 介电常数 材料 方法 产品 | ||
【主权项】：
1.一种形成低介电常数材料的方法，其特征在于，它包括下列步骤：提供一半导体基底，并将该半导基底置于一反应室；提供一硅氧气体、碳氢气体及含氧气体的混合气体于该反应室以形成一低介电常数层；及对该低介电常数层进行电浆硬化处理。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
