[发明专利]微隅角棱镜阵列、制造它的方法以及反射型显示装置有效
| 申请号： | 02124372.7 | 申请日： | 2002-06-17 |
| 公开（公告）号： | CN1392451A | 公开（公告）日： | 2003-01-22 |
| 发明（设计）人： | 箕浦洁;植木俊;伊藤康尚;伊原一郎;泽山丰;谷口幸治 | 申请（专利权）人： | 夏普株式会社 |
| 主分类号： | G03F1/00 | 分类号： | G03F1/00;G03F7/00;G02B5/124;G02F1/1335 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所 | 代理人： | 钱慰民 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种制造微隅角棱镜阵列的方法，包括以下步骤制备基底，它的至少一个表面部分包括立方单晶体，并且它具有一个实质平行于晶体{111}平面的表面；各向异性地蚀刻基底表面，以此在基底表面上形成多个微隅角棱镜阵列单元。每个所述单元由多个晶体平面构成，以低于晶体{111}平面蚀刻率的蚀刻率形成晶体平面。 | ||
| 搜索关键词： | 微隅角 棱镜 阵列 制造 方法 以及 反射 显示装置 | ||
【主权项】：
1.一种制造微隅角棱镜阵列的方法，其特征在于，包括以下步骤：制备基底，它的至少一个表面部分包括立方单晶体，并且它的一个表面实质平行于晶体{111}平面；各向异性地蚀刻基底表面，以此在基底表面上形成多个微隅角棱镜阵列单元，每个所述单元由多个晶体平面构成，以低于晶体{111}平面蚀刻率的蚀刻率形成晶体平面。
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G03 摄影术；电影术；利用了光波以外其他波的类似技术；电记录术；全息摄影术
G03F 图纹面的照相制版工艺，例如，印刷工艺、半导体器件的加工工艺；其所用材料；其所用原版；其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版，例如掩膜，光掩膜；其所用空白掩膜或其所用薄膜；其专门适用于此的容器；其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如通过电子束；其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM]；PSM空白；其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜；其制备，例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜，例如用于校准或测试的特殊涂层或标记；其制备
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