[发明专利]多量子阱波导对接耦合方法无效
| 申请号： | 02124387.5 | 申请日： | 2002-06-21 |
| 公开（公告）号： | CN1464603A | 公开（公告）日： | 2003-12-31 |
| 发明（设计）人： | 胡小华;王圩;朱洪亮 | 申请（专利权）人： | 中国科学院半导体研究所 |
| 主分类号： | H01S5/026 | 分类号： | H01S5/026;G02B6/42 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 汤保平 |
| 地址： | 100083*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明一种多量子阱波导对接耦合方法，包括如下步骤：(1)在衬底上外延生长元器件A的多量子阱结构；(2)淀积一层介质膜后，掩膜光刻，腐蚀掉A台条以外的多量子阱结构；(3)再次外延元器件B的多量子阱结构；(4)掩膜光刻去掉A和B界面处生长质量不好的部分；(5)最后大面积外延优化设计的体材料，同时作为元器件A和B的上波导，以及它们之间的耦合波导。该方法可以消除直接对接出现的空洞和多量子阱弯曲现象，降低耦合损耗，提高出光功率，可应用于多种光电子集成器件的制作。 | ||
| 搜索关键词： | 多量 波导 对接 耦合 方法 | ||
【主权项】：
1、一种多量子阱波导对接耦合方法，其特征在于，包括如下步骤：(1)在衬底上外延生长元器件A的多量子阱结构；(2)淀积一层介质膜后，掩膜光刻，腐蚀掉A台条以外的多量子阱结构，该介质膜是二氧化硅或氧化硅；(3)再次外延元器件B的多量子阱结构；(4)掩膜光刻去掉A和B界面处生长质量不好的部分；(5)最后大面积外延优化设计的体材料，同时作为元器件A和B的上波导，以及它们之间的耦合波导。
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