[发明专利]高分辨率焊接凸块形成方法有效
| 申请号： | 02124479.0 | 申请日： | 2002-06-28 |
| 公开（公告）号： | CN1166481C | 公开（公告）日： | 2004-09-15 |
| 发明（设计）人： | 何昆耀;宫振越 | 申请（专利权）人： | 威盛电子股份有限公司 |
| 主分类号： | B23K1/00 | 分类号： | B23K1/00;H01L21/60 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 陈肖梅;文琦 |
| 地址： | 台湾省台北县*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种高分辨率焊接凸块形成方法，此方法利用介电层特别是离形膜以及激光开孔的方式或是等离子蚀刻的工艺来精确定位晶片上的焊接凸块的形成位置，因此可以于介电层内形成高分辨率精确对准的开口，使焊接凸块能准确形成于晶片上的焊接凸块下金属层(UBM)上，同时可进一步缩小焊接凸块的间距，并成功地形成高纵横比(High Aspect Ratio)细间距高密集度的焊接凸块，同时可大大节省制作时间，降低成本。 | ||
| 搜索关键词： | 高分辨率 焊接 形成 方法 | ||
【主权项】：
1.一种高分辨率焊接凸块形成方法，其特征在于，该方法包含：提供一晶片，其中该晶片上具有多个焊垫、一具有多个开口以暴露出该焊垫的保护层及多个位于该焊垫上的焊接凸块下导体层(UBM)；形成一非感光性介电层覆盖该晶片；借助一垂直方向开孔加工的方法转移多个焊接凸块的图案进入该介电层以形成多个开口并暴露出该焊接凸块下导体层；将焊料填入该开口；对该晶片执行一次回焊工艺以形成多个焊接凸块；及移除该介电层。
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