[发明专利]可实现高密度化或高性能化的半导体存储器无效
| 申请号： | 02124500.2 | 申请日： | 2002-06-28 |
| 公开（公告）号： | CN1414564A | 公开（公告）日： | 2003-04-30 |
| 发明（设计）人： | 长泽勉;米谷英树;石田耕三;神保伸一;诹访真人;山内忠昭;松本淳子;田增成;冈本武郎 | 申请（专利权）人： | 三菱电机株式会社 |
| 主分类号： | G11C11/401 | 分类号： | G11C11/401;G11C11/41;H01L27/10 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 刘宗杰,叶恺东 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 半导体存储器(100)包含存储体(10～13)；预译码器(14、15)；闩锁电路(16)；计数器(17)；熔断器(18)；以及缓冲器(19、20)。存储体(10～13)包含排列成行列状的多个存储单元等。预译码器(14、15)被配置在半导体存储器(100)的中央部。预译码器(14)根据从缓冲器(20)输入的存储体地址(BA0、BA1)，生成选择存储体(12、13)的每一个用的预译码信号，将预译码信号输出给存储体(12、13)，预译码器(15)根据存储体地址(BA0、BA1)，生成选择存储体(10、11)的每一个用的预译码信号，将预译码信号输出给存储体(10、11)。其结果是，可减少在中央部的布线数。 | ||
| 搜索关键词： | 实现 高密度 性能 半导体 存储器 | ||
【主权项】：
1.一种半导体存储器，其特征在于：具备：n(n是自然数)个存储体(10～13)，分别包含多个存储单元；以及m(m是满足m＜n的自然数)个预译码器(14、15)，根据存储体地址(BA0、BA1)生成选择上述n个存储体(10～13)的每一个用的选择信号，上述m个预译码器(14、15)的每一个对上述n个存储体(10～13)中的k(k是满足n＝k×m的自然数)个存储体(10、11或12、13)输出上述已生成的选择信号。
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