[发明专利]低介电常数材料层的制造方法有效
| 申请号： | 02124608.4 | 申请日： | 2002-06-19 |
| 公开（公告）号： | CN1409381A | 公开（公告）日： | 2003-04-09 |
| 发明（设计）人： | 谢宗棠;蔡正原 | 申请（专利权）人： | 联华电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/31 | 分类号： | H01L21/31;H01L21/3105 |
| 代理公司： | 北京集佳专利商标事务所 | 代理人： | 王学强 |
| 地址： | 台湾省新竹科学*** | 国省代码： | 台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种低介电常数材料层的制造方法，其步骤如下首先在基底上形成一高分子材料层，再熟化此高分子材料层。接着于此高分子材料层上形成一接合材料层，其主成分为一有机硅化合物，且此有机硅化合物具有相连之一含硅片段与一未饱合碳氢片段。然后熟化此接合材料层，令其中的有机硅化合物与高分子材料反应并产生键结，以使此高分子材料层具有一含硅表面。另外，上述之高分子材料层亦可与接合材料层同时熟化。 | ||
| 搜索关键词： | 介电常数 材料 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种低介电常数材料层的制造方法，包括：提供一基底；于该基底上形成一高分子材料层；熟化该高分子材料层；于该高分子材料层上形成一接合材料层，该接合材料层之主成分为一有机硅化合物，该有机硅化合物具有相连之一含硅片段与一未饱合碳氢片段；以及熟化该接合材料层，令该有机硅化合物与该高分子材料层反应并产生键结，使得该高分子材料层具有一含硅表面。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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