[发明专利]聚苯乙烯二硫化钼插层复合材料的制备方法

摘要

本发明公开了一种聚苯乙烯二硫化钼插层复合材料的制备方法。该方法首先是将二硫化钼用插层剂插层处理后，不经过与水反应生成单层二硫化钼的剥层－重堆过程，直接加入苯乙烯单体，使苯乙烯插入二硫化钼层间和在引发剂的作用下引发聚合同时进行，反应终止后经过分离、干燥后得到复合材料。本发明步骤简单，降低了合成成本，缩短了反应时间。本发明的材料在电极材料、光电材料等方面存在着潜在的应用价值。

主权项

1.一种聚苯乙烯二硫化钼插层复合材料的制备方法，其特征在于按下列顺序步骤进行：(1)将二硫化钼粉1～100份装入干燥的反应器中，在惰性气体保护下，加入1～300份正丁基锂的正己烷溶液或石油醚溶液，在室温下搅拌1～72小时后得插层二硫化钼溶液；(2)在插层二硫化钼溶液中加入1～500份烃类或醚类惰性溶剂和10～100份苯乙烯单体，搅拌均匀后将体系温度调节到0～100℃，搅拌1～36小时后用0.1～10份甲醇、乙醇、水或酸终止反应；(3)产物在甲醇、乙醇、水或酸中沉淀、过滤后，在真空烘箱内干燥。