[发明专利]抗蚀剂图形增厚材料、抗蚀剂图形及其形成方法以及半导体器件及其制造方法无效
| 申请号： | 02124689.0 | 申请日： | 2002-03-29 |
| 公开（公告）号： | CN1421743A | 公开（公告）日： | 2003-06-04 |
| 发明（设计）人： | 野崎耕司;小澤美和;並木崇久;今纯一;矢野映 | 申请（专利权）人： | 富士通株式会社 |
| 主分类号： | G03F7/038 | 分类号： | G03F7/038;G03F7/26;H01L21/027 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 王永刚 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 抗蚀剂图形增厚材料含有树脂、交联剂和水溶性芳香化合物。抗蚀剂图形包括在下层抗蚀剂图形上的上层，下层抗蚀剂图形与上层的腐蚀率(/s)的比(下层抗蚀剂图形/上层)为1.1或更高，或包括在下层抗蚀剂图形上的含有芳香化合物的上层。形成抗蚀剂图形的方法包括在形成下层抗蚀剂图形之后在图形的表面涂覆抗蚀剂图形增厚材料。半导体器件包括由抗蚀剂图形形成的图形。半导体器件的制造方法包括在底层上形成下层抗蚀剂图形之后，在图形的表面涂覆抗蚀剂图形增厚材料以增厚图形，并通过采用图形作为掩模进行腐蚀以构图底层。 | ||
| 搜索关键词： | 抗蚀剂 图形 材料 及其 形成 方法 以及 半导体器件 制造 | ||
【主权项】：
1.一种抗蚀剂图形增厚材料，包括：树脂；交联剂；以及水溶性芳香化合物。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于富士通株式会社，未经富士通株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/02124689.0/，转载请声明来源钻瓜专利网。
