[发明专利]避免定位误差的双镶嵌结构制作方法

摘要

本发明提供一种制作一双镶嵌结构的方法。本发明方法采用一种称为DiRECT的低温化学气相沉积技术，可于一限定双镶嵌结构的光致抗蚀剂层上沉积一低温氟碳薄膜。此氟碳薄膜由于是在一低于100℃的沉积条件下形成，因此不会破坏光致抗蚀剂层，并且可以防止光致抗蚀剂定位误差所造成内连线可靠度问题。

主权项

1.一种于一半导体芯片表面制作一双镶嵌结构的方法，该半导体芯片包括有一基底，一导电层设于该基底表层内，一保护层覆盖于该基底以及该导电层之上，一介电层设于该保护层之上，以及一沟槽(trench)形成于该介电层的表层内，该方法包括有下列步骤：在该介电层表面形成一光致抗蚀剂层，且该光致抗蚀剂层填满该沟槽；在该光致抗蚀剂层内形成一与该沟槽开口约略对应位置，且露出该介电层的限定开口；在该光致抗蚀剂层表面形成一套盖层，且该套盖层使该限定开口的口径缩小，并位于该沟槽的开口口径范围内；以该套盖层为遮罩，对该介电层与该保护层进行蚀刻，直到露出该导电层；去除该套盖层与该光致抗蚀剂层，而形成一双嵌结构接触孔；以及在该双嵌结构接触孔中填入金属材，而形成一双镶嵌结构。