[发明专利]低温多晶硅有机电激发光装置的制法

摘要

一种低温多晶硅有机电激发光装置的制法，包含以下步骤：提供一基板；于基板形成一非晶硅层；于非晶硅层以黄光制程，离子掺杂形成具源极、漏极基极图样的晶体管元件图样；以激态激光回火处理所有具源极、漏极基极图样的晶体管元件图样；于基板表面形成与基极连接的第二导电线图样；于基极层与部分第二导电线上形成一具图样的绝缘层，且于基板上同时形成一具图样的第一导电线与具图样的第一显示电极，其中第一导电线与第二导电线间夹置有绝缘层，第一导线与源极连结，第一显示电极与漏极连结；于第一显示电极上形成至少一有机电激发光层；以及于有机电激发光层上形成一第二电极层；其中第一导电线与第二导电线相交错，并于交错处不直接连接导通。

主权项

1.一种低温多晶硅有机电激发光装置的制法，其特征在于，包含以下的步骤：提供一基板；于该基板形成一非晶硅层；于该非晶硅层以黄光制程，离子掺杂形成复数个具源极，漏极及基极图样的晶体管元件图样；以激态激光回火一次处理所有该复数个具源极，漏极及基极图样的晶体管元件图样；于该基板表面形成复数条与该基极连接的第二导电线图样；于该基极层与部分第二导电线上形成一具图样的绝缘层，且于该基板上同时形成一具图样的复数条第一导电线与具图样的第一显示电极，其中该第一导电线与该第二导电线间夹置有该绝缘层，该第一导线与该源极连结，该第一显示电极与该漏极连结；于该第一显示电极上形成至少一有机电激发光层；以及于该有机电激发光层上形成一第二电极层；其中该第一导电线与该第二导电线相交错，并于交错处不直接连接导通。