[发明专利]半导体器件及其制造方法无效
| 申请号： | 02125172.X | 申请日： | 2002-06-28 |
| 公开（公告）号： | CN1395316A | 公开（公告）日： | 2003-02-05 |
| 发明（设计）人： | 高木刚 | 申请（专利权）人： | 松下电器产业株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/778 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 汪惠民 |
| 地址： | 日本国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种半导体器件及其制造方法，该半导体器件包括硅衬底、在硅衬底上形成的由二氧化硅制成的隔离元件用绝缘薄膜、在硅衬底上形成的硅层、在硅层上形成的栅氧化薄膜、在栅氧化薄膜上形成的栅电极、在栅电极的侧面上形成的侧壁、在栅电极上形成的栅硅化物膜、位于栅电极的两侧形成的含有一部分硅层的源漏区域、在源漏区域上形成的硅化物薄膜。因为源漏区域重叠设置在层间绝缘薄膜上，可减小器件及元件面积。这样，在可能高速操作的同时亦可能高集成化。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件及其制造方法，它包括：具有激活区域的半导体衬板、在上述半导体衬板上形成的围绕上述激活区域的隔离元件用绝缘薄膜、在从上述激活区域上方到上述隔离元件用绝缘薄膜上方设置的半导体层、上述半导体层内，在上述激活区域的上方的区域中形成的栅绝缘薄膜、在上述栅绝缘薄膜上形成的半导体薄膜上形成的栅电极、在上述半导体层内的上述栅电极两侧区域形成的源漏区域的半导体，其中：至少上述半导体层内的在上述隔离元件用绝缘薄膜上方的区域中有一部分形成了源漏区域。
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