[发明专利]纳米尺寸蒙脱土及其制备方法无效
| 申请号： | 02125526.1 | 申请日： | 2002-07-18 |
| 公开（公告）号： | CN1468912A | 公开（公告）日： | 2004-01-21 |
| 发明（设计）人： | 李伟;菅文广;毛树红 | 申请（专利权）人： | 李伟;菅文广 |
| 主分类号： | C09C1/42 | 分类号： | C09C1/42 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 030006山西省太原市*** | 国省代码： | 山西;14 |
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| 摘要： | 本发明属于纳米技术领域，更具体地涉及到纳米尺寸蒙脱土及其制备方法。适用于所有使用纳米尺寸蒙脱土及其概念的领域。其特征在于具有高的比表面积、高活性和高分散性，具备纳米材料的通性，如小尺寸效应、表面效应、光学效应。 | ||
| 搜索关键词： | 纳米 尺寸 蒙脱土 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1、一种纳米尺寸蒙脱土，其特征在于它包含有一维、二维、三维的纳米尺寸，具有高的比表面积、高活性和高分散性。
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