[发明专利]具有磁诱导高应变和形状记忆效应的磁性单晶及制备方法

摘要

本发明涉及一种具有磁诱导高应变形状记忆效应的磁性单晶及其制备方法。该磁性单晶具有Ni_50+xMn_25－yFe_yGa_25+z化学式，其中：－24.9950+xMn_25－yFe_yGa_25+z磁性单晶，其生长条件为：加热NiMnFeGa原料到使之熔融；其熔融环境下以0.5－50转/分钟的速率旋转的带有籽晶的籽晶杆；在1020－1250℃的熔融温度条件下保持10－30分钟，用籽晶下端接触熔体的液面，然后以3－80mm/小时的均匀速率提升籽晶杆，将凝固结晶的单晶向上提拉，并使生长的单晶直径变大或保持一定；4.当生长的单晶达到所需尺寸时，将单晶提拉脱离熔融的原料表面，以0.5－20℃/分钟的缓慢降低温度冷却至室温，最后取出。该NiMnFeGa单晶由于含铁，而韧性比不含有铁的好。该NiMnFeGa单晶含有铁，其居里温度比不含有铁得以提高。

主权项

1.一种具有磁诱导高应变和形状记忆效应的磁性单晶，其特征在于：具有如下化学式Ni50+xMn25-yFeyGa25+z 其中：-24.99＜x＜24.99；-24.99＜y＜24.99；-24.99＜z＜24.99；所述的Ni50+xMn25-yFeyGa25+z单晶的居里温度达152℃；杨氏模量低于13Gpa；最高达4.2％的磁场增强双向形状记忆效应；自由样品产生最高达1.2％的磁感生应变或磁致伸缩；超弹性为20％。