[发明专利]超高介电常数、温度稳定型多层陶瓷电容器材料及其制备方法有效

专利信息
申请号: 02125720.5 申请日: 2002-08-14
公开(公告)号: CN1397957A 公开(公告)日: 2003-02-19
发明(设计)人: 王晓慧;陈仁政;桂治轮;李詜;李龙土 申请(专利权)人: 清华大学
主分类号: H01B3/12 分类号: H01B3/12;H01G4/12;C04B35/468;C04B35/622
代理公司: 北京贝腾特专利事务所 代理人: 赵天真
地址: 100084 *** 国省代码: 北京;11
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摘要: 发明公开了属于陶瓷材料制备技术的一种超高介电常数、温度稳定型多层陶瓷电容器材料及制备方法。该材料的主要成份为钛酸钡、金属粉、以氧化钴和氧化铌及稀土氧化物的二次添加剂。采用固相合成法及化学合成法制备钛酸钡,并与金属粉、二次添加剂混合,加压成型,烧结成为多层陶瓷电容器材料。制备工艺中无需加入助烧剂,可以显著降低合成及烧成温度。材料的室温介电常数可以控制在4000和42000之间,容温变化率≤±15%。烧结温度可控制在1280℃以下。是具有广泛应用前景的高性能的多层陶瓷电容器材料。
搜索关键词: 超高 介电常数 温度 稳定 多层 陶瓷 电容器 材料 及其 制备 方法
【主权项】:
1.一种超高介电常数、温度稳定型多层陶瓷电容器材料,主要由钛酸钡、金属粉末及二次添加剂组成,其特征在于:所述多层电容器材料是以钛酸钡为主料,加入用于提高介电性能的金属粉,以及用于改善温度性能的二次添加剂,以摩尔比的配方为:x([100-(a+b+c)]BaTiO3+aNb2O5+bCo3O4+cRe2O3+dMnO2)+(1-x)Me,其中0.5≤x≤1.0,0.1≤a≤3.0,0.1≤b≤1.5,0.1≤c≤1.2,1.0≤a/b≤5.0,Me代表金属银(Ag)、钯(Pd)、银钯合金(Ag-Pd),Re代表钇(Y)、镧(La)、铈(Ce)、镨(Pr)、钕(Nd)、钐(Sm)、镝(Dy)、铒(Er)和镱(Yb),其中氧化锰(MnO2)适量加入或不加均可。
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