[发明专利]利用等离子技术的高分子中和膜制造设备及其制造方法无效
申请号: | 02125773.6 | 申请日: | 2002-08-19 |
公开(公告)号: | CN1473958A | 公开(公告)日: | 2004-02-11 |
发明(设计)人: | 曺川寿;李铉旭;郑永万 | 申请(专利权)人: | 乐金电子(天津)电器有限公司 |
主分类号: | C23C16/503 | 分类号: | C23C16/503;C23C16/513 |
代理公司: | 天津才智专利商标代理有限公司 | 代理人: | 钱凯 |
地址: | 30040*** | 国省代码: | 天津;12 |
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摘要: | 本发明公开了一种利用等离子技术的高分子中和膜的制造设备,在工程容器内部上、下部放电电极的外侧,设置了上、下部对应电极,其上、下部对应电极连接在直流电源的正极。在一个优选方式中,以工程容器内部的铝板为中心,上、下部放电电极保持40毫米间隙。在另一个优选方式中,上、下部放电电极和上、下部对应电极之间间隙应维持到70至130毫米。本发明也公开了利用等离子技术的高分子中和膜的方法,工程容器内安置阳极铝板,铝板的上、下部安置了阴极上、下部放电电极和阳极上、下部对应电极,工程容器内部压力维持真空状态后注入碳氢化气体,阳极和阴极之间相加0.5至2A的直流电使碳氢化气体电离,在铝板的表面形成具有亲水性高分子中和膜。 | ||
搜索关键词: | 利用 等离子 技术 高分子 中和 制造 设备 及其 方法 | ||
【主权项】:
1.一种利用等离子技术的高分子中和膜制造设备,包括工程容器(1)及其内部的上部放电电极(2)和下部放电电极(3)和直流电源(14),其特征是:在所述上部放电电极(2)和下部放电电极(3)的外侧,分别设置了上部对应电极(9)和下部对应电极(10),上部对应电极(9)和下部对应电极(10)连接在直流电源(14)的正极上。
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C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的