[发明专利]稀土钡铜氧大畴超导块材的后处理方法及其使用装置有效
| 申请号： | 02125877.5 | 申请日： | 2002-08-01 |
| 公开（公告）号： | CN1472368A | 公开（公告）日： | 2004-02-04 |
| 发明（设计）人： | 肖玲;任洪涛;焦玉磊;郑明辉 | 申请（专利权）人： | 北京有色金属研究总院 |
| 主分类号： | C30B29/22 | 分类号： | C30B29/22;C30B33/02;C04B35/45 |
| 代理公司： | 北京北新智诚知识产权代理有限公司 | 代理人： | 程凤儒 |
| 地址： | 10008*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种稀土钡铜氧大畴超导块材的后处理方法，是采用熔融织构生长工艺和顶部籽晶方法制备稀土钡铜氧大畴超导块材中的后处理方法，是在高压氧气氛中进行的，压力为1－2.5Mpa，温度为300－700℃。所用的高压氧处理装置，包括有加热炉，加热炉内设有加热体及封闭的炉腔，炉腔设有进料口及其密封门，并设有进气口及其进气阀、与温度控制仪连接的热电偶、与保护装置连接的出气口，该保护装置为封闭容器，设有放气口及其放气阀、压力调节器。采用本发明的方法不仅可以获得好的超导性能(临界转变温度、临界电流密度和磁悬浮力)，而且明显缩短了后处理时间，大大降低了氧气的消耗，因而降低了材料的制造成本。该高压氧处理装置高效、安全。 | ||
| 搜索关键词： | 稀土 钡铜氧大畴 超导 处理 方法 及其 使用 装置 | ||
【主权项】：
1、一种稀土钡铜氧大畴超导块材的后处理方法，是采用熔融织构生长工艺和顶部籽晶方法制备稀土钡铜氧大畴超导块材中的后处理方法，其特征在于：后处理是在高压氧气氛中进行的，压力为1-2.5Mpa，温度为300-700℃。
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