[发明专利]接触孔的形成方法无效
申请号: | 02126128.8 | 申请日: | 2002-07-17 |
公开(公告)号: | CN1469434A | 公开(公告)日: | 2004-01-21 |
发明(设计)人: | 彭鑫堂;王永进;杨登峻 | 申请(专利权)人: | 茂德科技股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/28 | 分类号: | H01L21/28;H01L21/768 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人: | 陶凤波;侯宇 |
地址: | 台湾省新竹*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | 本发明提供一种接触孔的形成方法。首先,提供一半导体衬底,其表面设有依序相邻的第一、第二、第三、以及第四栅极导电结构,其中第二与第三栅极导电结构位于一有源区域内。接着,顺应性形成一金属线层于第二与第三栅极导电结构之间的衬底表面。接着,形成一具有平坦表面的内层介电材料层于衬底的整个表面上,以覆盖金属线层,并填满第一与第二栅极导电结构的空隙、第三与第四栅极导电结构的空隙。最后,形成一第一接触孔、一第二接触孔以及一第三接触孔于上述内层介电层内,其中第一接触孔曝露出第一栅极导电结构的顶部,第二接触孔曝露出金属线层的表面,第三接触孔曝露出第四栅极导电结构的外侧衬底表面。 | ||
搜索关键词: | 接触 形成 方法 | ||
【主权项】:
1.一种接触孔的形成方法,包括下列步骤:提供一半导体衬底,其表面上设有依序相邻的一第一栅极导电结构、一第二栅极导电结构、一第三栅极导电结构以及一第四栅极导电结构,其中上述第二栅极导电结构与上述第三栅极导电结构位于一有源区域内;顺应性形成一金属线层于上述第二栅极导电结构与上述第三栅极导电结构之间的衬底表面上;形成一具有平坦表面的内层介电材料层于上述衬底的整个表面上,以覆盖上述金属线层,并填满上述第一栅极导电结构与上述第二栅极导电结构的空隙、上述第三栅极导电结构与上述第四栅极导电结构的空隙;以及形成一位线接触孔于上述内层介电层内,以曝露出上述金属线层的表面。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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