[发明专利]半导体存储装置

摘要

具有可以缩短位线的配线长度的低功耗型SRAM存储单元的半导体存储装置。NMOS晶体管N1、N3和N4在一方的P阱区域PW0内形成，NMOS晶体管N2、N5和N6在另一方的P阱区域PW1内形成，将位线BL1、BL2(位线BL12、BL22)的配线方向(第2方向)设定在与P阱区域PW0、PW1的分离并列配置方向(图的横向；第1方向)正交的方向。P阱区域PW0和P阱区域PW1将N阱区域夹在中间，分别在相反侧形成。

主权项

1.一种具有包含相互交叉连接的第1和第2反相器的存储单元的半导体存储装置，其特征在于：第1导电型由第1种定义，第2导电型由第2种定义；上述第1反相器由第1个第1种场效应晶体管和第1个第2种场效应晶体管构成；上述第2反相器由第2个第1种场效应晶体管和第2个第2种场效应晶体管构成；上述第1反相器的输出部包含上述第1个第1种场效应晶体管的一方电极与上述第1个第2种场效应晶体管一方电极的连接部；输入部包含上述第1个第1种场效应晶体管的控制电极与上述第1个第2种场效应晶体管的控制电极的连接部；上述第2反相器的输出部包含上述第2个第1种场效应晶体管的一方电极与上述第2个第2种场效应晶体管的一方电极的连接部；输入部包含上述第2个第1种场效应晶体管的控制电极与上述第2个第2种场效应晶体管的控制电极的连接部；上述存储单元进而包含一方电极与同上述第1反相器的输出部和上述第2反相器的输入部电气连接的第1存储端子连接而控制电极与行选择信号线连接的第3个第1种场效应晶体管、一方电极与上述第3个第1种场效应晶体管的另一方电极连接而另一方电极与第1位线连接并且控制电极与第1列选择信号线连接的第4个第1种场效应晶体管、一方电极与同上述第2反相器的输出部和上述第1反相器的输入部电气连接的第2存储端子连接而控制电极与上述行选择信号线连接的第5个第1种场效应晶体管和一方电极与上述第5个第1种场效应晶体管的另一方电极连接而另一方电极与第2位线连接并且控制电极与第2列选择信号线连接的第6个第1种场效应晶体管；上述第1和第2个第1种场效应晶体管中的一方在第1个第2种阱区域形成，另一方在第2个第2种阱区域形成；上述第3和第4个第1种场效应晶体管在上述第1个第2种阱区域形成；上述第5和第6个第1种场效应晶体管在上述第2个第2种阱区域形成；上述第1和第2个第2种场效应晶体管在第1种阱区域形成；上述第1和第2个第2种阱区域将上述第1种阱区域夹在中间并列在第1方向，上述第1和第2位线在与上述第1方向大致正交的第2方向延伸地形成。