[发明专利]可消除像素噪声的对数极式互补式金氧半导体影像传感器无效
申请号: | 02126225.X | 申请日: | 2002-07-16 |
公开(公告)号: | CN1469485A | 公开(公告)日: | 2004-01-21 |
发明(设计)人: | 赖良维;金雅琴 | 申请(专利权)人: | 双汉科技股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/14 | 分类号: | H01L27/14;H04N3/15;H04N5/335 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人: | 王学强 |
地址: | 台湾省台*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | 一种可消除内在像素固定噪声的对数极式的互补式金氧半导体影像传感器,具有第一至第四晶体管、光二极管以及电流源。其中第一晶体管栅极端与第一连接端耦接于第一节点,第一节点耦接最高电压。第二晶体管栅极端与第一晶体管第二连接端耦接于第二节点,且第二晶体管的第一连接端耦接最高电压。第三晶体管栅极端耦接列选择信号,且第三晶体管第一连接端耦接第二晶体管第二连接端,而第三晶体管第二连接端为电压输出端。第四晶体管栅极端耦接控制信号,且第四晶体管第一连接端耦接第二节点。光二极管第一连接端耦接第四晶体管第二连接端,且光二极管第二连接端耦接地。电流源第一连接端耦接第三晶体管第二连接端,且电流源第二连接端耦接地。 | ||
搜索关键词: | 消除 像素 噪声 对数 互补 式金氧 半导体 影像 传感器 | ||
【主权项】:
1.一种可消除内在像素固定噪声的对数极式的互补式金氧半导体影像传感器,其特征是,该传感器包括:一第一MOS晶体管,具有栅极端、第一连接端以及第二连接端,该第一晶体管的栅极端与第一连接端耦接于一第一节点,且该第一节点耦接一最高电压;一第二MOS晶体管,具有栅极端、第一连接端以及第二连接端,该第二MOS晶体管的栅极端与该第一MOS晶体管的第二连接端耦接于一第二节点,且该第二MOS晶体管的第一连接端耦接该最高电压;一第三MOS晶体管,具有栅极端、第一连接端以及第二连接端,该第三MOS晶体管的栅极端耦接一列选择信号,且该第三MOS晶体管的第一连接端耦接该第二MOS晶体管的第二连接端,而该第三MOS晶体管的第二连接端为一电压输出端;一第四MOS晶体管,具有栅极端、第一连接端以及第二连接端,该第四MOS晶体管的栅极端耦接一控制信号,且该第四MOS晶体管的第一连接端耦接该第二节点;以及一光二极管,具有第一连接端以及第二连接端,该光二极管的第一连接端耦接该第四MOS晶体管的第二连接端,且该光二极管的第二连接端耦接地。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
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