[发明专利]电流放大的对数极式互补金氧半导体影像传感器

摘要

一种电流放大的对数极式互补金氧半导体影像传感器具有第一至第三晶体管以及感测装置。其中第一晶体管栅极端以及第一连接端耦接于最高电压。第二晶体管栅极端与第一晶体管第二连接端耦接于一节点，且第二晶体管第一连接端耦接最高电压。第三晶体管栅极端耦接列选择信号，且第三晶体管第一连接端耦接第二晶体管第二连接端，此外，第三晶体管第二连接端为一电压输出端。感测装置中PMOS晶体管第一连接端耦接此节点，且此PMOS晶体管第二连接端耦接地，其栅极端耦接电压控制信号，而其中的横向PNP双载子接面晶体管发射极连接端耦接此节点，且此横向PNP双载子接面晶体管集电极连接端耦接地，此横向PNP双载子接面晶体管的基极浮置。

主权项

1.一种电流放大的对数极式互补金氧半导体影像传感器，其特征是，该传感器包括：一第一MOS晶体管，具有栅极端、第一连接端以及第二连接端，该第一晶体管的栅极端与第一连接端耦接于一最高电压；一第二MOS晶体管，具有栅极端、第一连接端以及第二连接端，该第二MOS晶体管的栅极端与该第一MOS晶体管的第二连接端耦接于一节点，且该第二MOS晶体管的第一连接端耦接该最高电压；一第三MOS晶体管，具有栅极端、第一连接端以及第二连接端，该第三MOS晶体管的栅极端耦接一列选择信号，且该第三MOS晶体管的第一连接端耦接该第二MOS晶体管的第二连接端，而该第三MOS晶体管的第二连接端为一电压输出端；以及一感测装置，包括一PMOS晶体管以及一横向PNP双载子接面晶体管，其中该PMOS晶体管具有栅极端、第一连接端以及第二连接端，该PMOS晶体管的第一连接端耦接该节点，且该PMOS晶体管的第二连接端耦接一地，而该PMOS晶体管的栅极端耦接一电压控制信号，其中该横向PNP双载子接面晶体管的发射极连接端耦接该节点，该横向PNP双载子接面晶体管的集电极连接端耦接一地，而该栅极位于该横向PNP双载子接面晶体管的基极连接端浮置。