[发明专利]减少蚀刻制作工艺期间微粒产生的方法有效
| 申请号： | 02126227.6 | 申请日： | 2002-07-16 |
| 公开（公告）号： | CN1469437A | 公开（公告）日： | 2004-01-21 |
| 发明（设计）人： | 彭俊宁 | 申请（专利权）人： | 旺宏电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/306 | 分类号： | H01L21/306;H01L21/66 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人： | 王学强 |
| 地址： | 台湾省新竹*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 一种减少蚀刻制作工艺期间微粒产生的方法，适于将晶圆置于一蚀刻腔体的一乘载器上，先设定承载器为一高度以及在此高度下进行一蚀刻制作工艺。然后，在此高度下测量在不同位置的蚀刻深度的误差。接着，在不同高度下重复上述两步骤，以便产生数组不同高度的对应资料，再选择结果为最小误差的该高度作为用以施行一标准蚀刻制作工艺的高度，借此以增加整个基底上的材质层的蚀刻率均匀性。 | ||
| 搜索关键词： | 减少 蚀刻 制作 工艺 期间 微粒 产生 方法 | ||
【主权项】：
1.一种减少蚀刻制作工艺期间微粒产生的方法，适于将一晶圆置于一蚀刻腔体的一乘载器上，其特征在于：包括：设定该承载器的一高度以及在该高度下进行一蚀刻制作工艺；在该高度下测量在不同位置的蚀刻深度的误差；在不同高度下重复上述两步骤，以便产生数组不同高度的对应资料；选择结果为最小误差的该高度作为施行一标准蚀刻制作工艺的高度。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
