[发明专利]定义低介电常数介电层的方法有效

专利信息
申请号: 02126321.3 申请日: 2002-07-19
公开(公告)号: CN1450597A 公开(公告)日: 2003-10-22
发明(设计)人: 张鼎张;刘柏村;许钲宗 申请(专利权)人: 联华电子股份有限公司
主分类号: H01L21/027 分类号: H01L21/027;G03F7/00
代理公司: 北京集佳专利商标事务所 代理人: 王学强
地址: 台湾省新竹科 *** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 一种定义低介电常数介电层的方法。直接暴露在高能量流下来定义低介电常数介电层,而不需要使用任何的光阻层,借以使低介电常数介电层曝光的部分固化,而变的不溶于显影溶液中,低介电常数介电层未曝光的部分则会溶解在显影溶液中,并将会在显影步骤中被移除,组件的效能与可靠度均可因此得到改善,且可以简化工艺步骤。
搜索关键词: 定义 介电常数 介电层 方法
【主权项】:
1.一种定义低介电常数介电层的方法,其特征是,该方法包括下列步骤:提供一基底;用旋涂的方式形成一低介电常数介电层于该基底上;提供具有一图案的一光罩;直接在该低介电常数介电层上使用一高能量流,以选择性的固化该低介电常数介电层而不需要使用一光阻层,其中该光罩是被使用来将该图案转换到该低介电常数介电层上的;通过使用一显影液来进行一显影步骤,其中该低介电常数介电层的一部分会被暴露在高能量流下并被固化,因此不溶于该显影液中,而该低介电常数介电层未曝光的部分则会溶解在该显影液中;以及在显影步骤以后,进行一道烘烤步骤以减少水气的吸收。
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