[发明专利]定义低介电常数介电层的方法有效
申请号: | 02126321.3 | 申请日: | 2002-07-19 |
公开(公告)号: | CN1450597A | 公开(公告)日: | 2003-10-22 |
发明(设计)人: | 张鼎张;刘柏村;许钲宗 | 申请(专利权)人: | 联华电子股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/027 | 分类号: | H01L21/027;G03F7/00 |
代理公司: | 北京集佳专利商标事务所 | 代理人: | 王学强 |
地址: | 台湾省新竹科 *** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 一种定义低介电常数介电层的方法。直接暴露在高能量流下来定义低介电常数介电层,而不需要使用任何的光阻层,借以使低介电常数介电层曝光的部分固化,而变的不溶于显影溶液中,低介电常数介电层未曝光的部分则会溶解在显影溶液中,并将会在显影步骤中被移除,组件的效能与可靠度均可因此得到改善,且可以简化工艺步骤。 | ||
搜索关键词: | 定义 介电常数 介电层 方法 | ||
【主权项】:
1.一种定义低介电常数介电层的方法,其特征是,该方法包括下列步骤:提供一基底;用旋涂的方式形成一低介电常数介电层于该基底上;提供具有一图案的一光罩;直接在该低介电常数介电层上使用一高能量流,以选择性的固化该低介电常数介电层而不需要使用一光阻层,其中该光罩是被使用来将该图案转换到该低介电常数介电层上的;通过使用一显影液来进行一显影步骤,其中该低介电常数介电层的一部分会被暴露在高能量流下并被固化,因此不溶于该显影液中,而该低介电常数介电层未曝光的部分则会溶解在该显影液中;以及在显影步骤以后,进行一道烘烤步骤以减少水气的吸收。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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