[发明专利]浅沟渠隔离区的制造方法有效

专利信息
申请号: 02126322.1 申请日: 2002-07-19
公开(公告)号: CN1469450A 公开(公告)日: 2004-01-21
发明(设计)人: 马思尊;张国华 申请(专利权)人: 旺宏电子股份有限公司
主分类号: H01L21/76 分类号: H01L21/76
代理公司: 北京集佳知识产权代理有限公司 代理人: 王学强
地址: 台湾省新竹*** 国省代码: 中国台湾;71
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摘要: 发明公开了一种浅沟渠隔离区的制造方法,此方法包括下述步骤:首先在一基底上形成一硬罩幕层;接着对硬罩幕层的一个表面进行一离子轰击步骤,之后再于硬罩幕层的表面上形成一图案化的光阻层。继之,以光阻层为一蚀刻罩幕图案化硬罩幕层。然后,再进行一蚀刻制作过程以于基底中形成一沟渠。之后,将光阻层移除,再于沟渠中填入一绝缘层。继之,再将硬罩幕层移除即形成一浅沟渠隔离区。本方法制造的浅沟渠隔离区中不会形成岛状缺陷,其隔离区能够发挥有效作用,从而避免了元件产生漏电流。
搜索关键词: 沟渠 隔离 制造 方法
【主权项】:
1、一种浅沟渠隔离区的制造方法,其特征在于,该方法包括如下步骤:在一基底上形成一硬罩幕层;对该硬罩幕层的一个表面进行一离子轰击步骤;在该硬罩幕层的该表面上形成一图案化的光阻层;以该光阻层为一蚀刻罩幕图案化该硬罩幕层;进行一个蚀刻制作过程以在该基底中形成一沟渠;移除该光阻层;在该沟渠中填入一绝缘层;移除该硬罩幕层以形成一浅沟渠隔离区。
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